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HYG068N08NR1P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYG068N08NR1P

1个N沟道 耐压:80V 电流:160A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:80V/160A-RDS(ON)=6mΩ(typ.)@VGS=10V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无铅器件(符合RoHS标准)。应用:逆变器系统中的电源管理。 电动汽车控制器
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG068N08NR1P
商品编号
C2830700
商品封装
TO-220FB-3​
包装方式
盒装
商品毛重
2.08克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)268W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)84nC
输入电容(Ciss)3.722nF
反向传输电容(Crss)231pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品特性

  • VDS = -20 V,ID = -0.55 A
  • 当VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 590 mΩ
  • 当VGS = -2.5 V时,RDS(ON) < 900 mΩ
  • 静电放电保护

应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 超小型便携式电子设备的电池管理
  • 逻辑电平转换

数据手册PDF