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HYG110P04LQ2D
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- 特性：40V / -50A，RDS(ON)= 9.4mΩ（典型值）@VGS = -10V，RDS(ON)= 13 mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。100%雪崩测试。可靠耐用。提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。DC/DC转换器中的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG110P04LQ2D
- 商品编号
- C2830428
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 57.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.468nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 253pF |
商品特性
- -40V/-50A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 9.4mΩ(典型值)
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 13mΩ(典型值)
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
-开关应用-DC/DC转换器中的电源管理-电池保护
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