HYG110P04LQ2D

P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:40V 电流:50A

描述

特性：40V / -50A，RDS(ON)= 9.4mΩ（典型值）@VGS = -10V，RDS(ON)= 13 mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。100%雪崩测试。可靠耐用。提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。DC/DC转换器中的电源管理

品牌名称

HUAYI(华羿微)

商品型号

HYG110P04LQ2D

商品编号

C2830428

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.433克(g)