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HYG050N13NS1B6
1个N沟道 耐压:135V 电流:200A
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- 描述
- 特性：135V/200A，RDS(ON)=3.8mΩ（典型值），VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有符合RoHS标准的无铅环保器件。应用：功率开关应用。 不间断电源
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG050N13NS1B6
- 商品编号
- C2830427
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.675克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 135V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.662nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 181pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 18A、200V，最大导通电阻RDS(on) = 0.17 Ω（VGS = 10V时）
- 低栅极电荷（典型值22nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力