温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI3415A-TP
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 功率(Pd) | 1.4W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 34mΩ@4.5V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 950pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款功率MOSFET采用东微半导（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。 该先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高功率逆变器、切割机。
商品特性
- 82A、300V，VGS = 10V时最大RDS(on) = 46mΩ
- 低栅极电荷（典型值70nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高功率逆变器-切割机