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TSD16N25M
250V N沟道MOSFET
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- 描述
- MOS,N沟道,16N25,250V,16A,0.25Ω(Max)
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSD16N25M
- 商品编号
- C2829043
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.275nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品特性
- N沟道：
- VDD = 30 V，ID = 20 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 13 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 19 mΩ
- P沟道：
- VDD = -30 V，ID = -20 A
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) < 23 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 34 mΩ
- 获得无铅产品
- 高功率和电流处理能力
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理