MX25L6406EZNI-12GTR

64M位[x1/x2]CMOS串行闪存

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描述: 特性：单电源操作。读、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6V。支持串行外设接口。模式 0 和模式 3。67,108,864 x 1 位结构或 33,554,432 x 2 位（双输出模式）结构。2048 个相等的扇区，每个扇区 4K 字节
品牌名称: MXIC(旺宏电子)
商品型号: MX25L6406EZNI-12GTR
商品编号: C2803029
商品封装: WSON-8(6x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	3ms
	块擦除时间(tBE)	400ms@(64KB)
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

该器件是一款64兆位串行闪存，采用CMOS技术制造，支持单电源工作，电压范围为2.7V至3.6V，适用于读取、擦除和编程操作。它兼容串行外设接口的模式0和模式3。存储器组织为67，108，864 x 1位结构，或在双输出模式下为33，554，432 x 2位结构。它包含2048个扇区，每个扇区4K字节，以及128个块，每个块64K字节。支持字节和页编程，并具有防闩锁保护能力。该器件提供多种封装选项。

商品特性

单电源操作，读取、擦除和编程电压为2.7V至3.6V
支持串行外设接口模式0和模式3
存储器结构为67，108，864 x 1位或33，554，432 x 2位
包含2048个扇区，每个扇区4K字节，支持单独擦除
包含128个块，每个块64K字节，支持单独擦除
支持字节编程和页编程
防闩锁保护能力达100mA
高性能：86MHz串行时钟访问速度，双输出模式串行时钟80MHz
快速编程时间：典型值0.6ms/页，最大值3ms/页；字节编程时间典型值9us
快速擦除时间：扇区典型值40ms，块典型值0.4s
低功耗：86MHz下最大读取电流25mA，典型编程电流15mA，典型扇区擦除电流9mA，典型待机电流12uA，典型深度掉电模式电流2uA
典型擦除/编程周期为100，000次
数据保持期为20年
输入数据格式为1字节命令码
高级安全特性：块锁定保护，通过BP3~BP0状态位定义软件保护区域大小
额外的512位安全一次性可编程存储器，用于标识符
自动擦除和自动编程算法
状态寄存器功能
电子识别：支持JEDEC 1字节制造商ID和2字节器件ID，RES命令读取1字节器件ID，REMS命令读取1字节制造商ID和1字节器件ID
支持串行闪存可发现参数模式
封装选项：16引脚SOP，8引脚SOP，8引脚VSOP，8焊盘WSON，24球TFBGA
所有器件均符合RoHS标准

应用领域

消费电子产品
工业控制系统
通信设备
汽车电子系统
医疗设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	64Mbit
	时钟频率(fc)	86MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	12uA
	擦写寿命	100000次