MX25L512EZUI-10GTR

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: MXIC(旺宏电子)
商品型号: MX25L512EZUI-10GTR
商品编号: C2803024
商品封装: USON-8(3x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	3ms
	块擦除时间(tBE)	2s
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

该产品是一款512K位CMOS串行NOR闪存，支持串行外设接口模式0和模式3。其存储结构为524,288×1位或262,144×2位（双输出模式），包含16个容量均为4K字节的扇区，每个扇区均可独立擦除。该器件采用单电源供电，读、擦除和编程操作电压范围为2.7V至3.6V，具有抗闩锁保护能力，电流可达100mA，电压范围为-1V至Vcc+1V。

商品特性

支持串行外设接口模式0和模式3
524,288×1位或262,144×2位（双输出模式）存储结构
16个4K字节扇区，每个扇区可独立擦除
单电源工作，读、擦除和编程电压为2.7V至3.6V
抗闩锁保护，电流达100mA，电压范围-1V至Vcc+1V
高性能：104MHz串行时钟访问速度，双输出模式串行时钟80MHz
快速编程时间：每页（256字节）典型值0.6ms，最大值3ms；字节编程时间9us
快速擦除时间：每扇区（4K字节）典型值40ms；每芯片典型值0.4s，最大值2s
低功耗：104MHz下最大读电流12mA，33MHz下最大4mA；典型编程电流15mA；典型扇区擦除电流9mA；典型待机电流15uA；典型深度掉电模式电流2uA
最小100,000次擦除/编程周期，数据保持期20年
软件特性：1字节命令码输入数据格式；块锁定保护；BP0~BP1状态位定义软件保护区域大小；自动擦除和编程算法；状态寄存器功能；电子识别（JEDEC 2字节器件ID、RES命令1字节器件ID）；支持串行闪存可发现参数模式

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	512Kbit
	时钟频率(fc)	104MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	25uA
	擦写寿命	100000次