MX25L1633EM2I-10GTR
MX25L1633EM2I-10GTR
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- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L1633EM2I-10GTR
- 商品编号
- C2802959
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 15uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 100ms | |
| 页写入时间(Tpp) | 3ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 2s@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品概述
MX25L1633E是一款16M位容量的CMOS串行多I/O闪存,采用1位、2位或4位I/O结构。该器件兼容串行外设接口,支持模式0和模式3。其存储单元组织为512个4K字节的扇区或32个64K字节的块,支持扇区或块的独立擦除。该器件采用单电源供电,读、擦除和编程操作电压范围为2.7~3.6伏特。其内部电路具有锁存保护功能,在-1V至Vcc+1V电压范围内可承受高达100mA的电流。
商品特性
- 兼容串行外设接口,支持模式0和模式3
- 存储结构为16,777,216×1位,或8,388,608×2位,或4,194,304×4位
- 包含512个4K字节的等大小扇区,支持扇区独立擦除
- 包含32个64K字节的等大小块,支持块独立擦除
- 单电源供电,读、擦除和编程操作电压范围为2.7~3.6伏特
- 锁存保护,在-1V至Vcc+1V电压范围内可承受100mA电流
- 高性能:快速读取,1位I/O模式支持104MHz时钟,2位和4位I/O模式支持85MHz时钟
- 快速访问时间:串行时钟高达104MHz
- 快速编程时间:典型值0.6毫秒/页,最大值3毫秒/页
- 快速擦除时间:典型值40毫秒/扇区,0.4秒/块,5秒/芯片
- 低功耗:104MHz下最大读取电流25mA,33MHz下最大读取电流10mA
- 典型擦除/编程循环次数:100,000次
- 数据保持时间:20年
- 软件特性:输入数据格式为1字节命令码,具备高级安全功能,包括块锁保护和512位安全一次性可编程区域
- 硬件特性:串行时钟输入,串行数据输入,以及支持2×I/O和4×I/O读模式的串行数据输入/输出
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