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MX25L1633EM2I-10GTR引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX25L1633EM2I-10GTR

MX25L1633EM2I-10GTR

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品牌名称
MXIC(旺宏电子)
商品型号
MX25L1633EM2I-10GTR
商品编号
C2802959
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量16Mbit
时钟频率(fc)104MHz
工作电压2.7V~3.6V
待机电流15uA
擦写寿命100000次
属性参数值
写周期时间(Tw)100ms
页写入时间(Tpp)3ms
块擦除时间(tBE)2s@(64KB)
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位

商品概述

MX25L1633E是一款16M位容量的CMOS串行多I/O闪存,采用1位、2位或4位I/O结构。该器件兼容串行外设接口,支持模式0和模式3。其存储单元组织为512个4K字节的扇区或32个64K字节的块,支持扇区或块的独立擦除。该器件采用单电源供电,读、擦除和编程操作电压范围为2.7~3.6伏特。其内部电路具有锁存保护功能,在-1V至Vcc+1V电压范围内可承受高达100mA的电流。

商品特性

  • 兼容串行外设接口,支持模式0和模式3
  • 存储结构为16,777,216×1位,或8,388,608×2位,或4,194,304×4位
  • 包含512个4K字节的等大小扇区,支持扇区独立擦除
  • 包含32个64K字节的等大小块,支持块独立擦除
  • 单电源供电,读、擦除和编程操作电压范围为2.7~3.6伏特
  • 锁存保护,在-1V至Vcc+1V电压范围内可承受100mA电流
  • 高性能:快速读取,1位I/O模式支持104MHz时钟,2位和4位I/O模式支持85MHz时钟
  • 快速访问时间:串行时钟高达104MHz
  • 快速编程时间:典型值0.6毫秒/页,最大值3毫秒/页
  • 快速擦除时间:典型值40毫秒/扇区,0.4秒/块,5秒/芯片
  • 低功耗:104MHz下最大读取电流25mA,33MHz下最大读取电流10mA
  • 典型擦除/编程循环次数:100,000次
  • 数据保持时间:20年
  • 软件特性:输入数据格式为1字节命令码,具备高级安全功能,包括块锁保护和512位安全一次性可编程区域
  • 硬件特性:串行时钟输入,串行数据输入,以及支持2×I/O和4×I/O读模式的串行数据输入/输出

数据手册PDF