MX25L25635EMI-12GTR

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品牌名称: MXIC(旺宏电子)
商品型号: MX25L25635EMI-12GTR
商品编号: C2802970
商品封装: SOP-16
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH

	属性	参数值
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护

商品概述

MX25L25635E是一款256Mb串行闪存，设计用于在单电源供电下实现简单、节省空间的存储解决方案。该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双倍数据输出（DDO）以及双倍和四倍输入/输出（I/O）串行闪存接口，兼容串行时钟频率高达133MHz的SPI模式（0,0）和（1,1）。其存储阵列被组织为可擦除的扇区和块，支持灵活的擦除和编程操作。该器件提供多种数据保护机制，包括块保护、可写保护选择、安全一次性可编程（OTP）区域以及单独的块锁定功能，以增强数据安全性。此外，它还具备深度掉电模式以降低功耗，以及连续编程模式以提高编程效率。该闪存支持通过读取电子签名和制造商/设备ID进行识别，并兼容串行闪存可发现参数（SFDP）标准，便于系统集成。

商品特性

256Mb串行闪存
单电源供电：2.7V ~ 3.6V
所有器件均支持标准、双倍和四倍I/O SPI
时钟频率：标准SPI高达133MHz，双倍和四倍I/O SPI高达80MHz
灵活的擦除架构：支持扇区擦除（4KB）、块擦除（32KB/64KB）和整片擦除
编程性能：页编程（256字节）和四倍I/O页编程
连续编程模式，支持硬件检测
深度掉电模式：电流典型值1μA
待机电流：典型值5μA
快速读取数据：标准SPI高达133MHz，双倍/四倍I/O SPI高达80MHz
2×I/O读取模式
增强性能的四倍I/O读取模式
软件和硬件写保护
顶部或底部块保护配置
可写保护选择（WPSEL）
安全OTP区域：4096位
单独的块锁定/解锁
成组块锁定/解锁
上电和掉电时写保护
可持续100,000次编程/擦除循环
数据保存期限超过20年
扩展工业温度范围：-40℃ ~ 85℃
所有引脚均具备8kV ESD保护
符合RoHS标准且无卤素
提供8引脚SOP 208mil、16引脚SOP 300mil、8引脚WSON 6x5mm和24球TFBGA 8x6mm封装

数据手册PDF

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