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MX25L1636EM2I-08G
16M位[x1/x2/X4]CMOS串行闪存
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- 描述
- 特性：通用特性: -与串行外设接口兼容，支持模式0和模式3。 -具有16,777,216 x 1位、8,388,608 x 2位或4,194,304 x 4位结构。 -有512个相等的扇区，每个扇区4K字节，任何扇区可单独擦除。 -有32个相等的块，每个块64K字节，任何块可单独擦除。 -单电源操作，读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 -从-1V到Vcc +1V的闩锁保护可达100mA
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L1636EM2I-08G
- 商品编号
- C2802965
- 商品封装
- SOIC-8-208mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 700us | |
| 块擦除时间(tBE) | 400ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品特性
- 兼容串行外设接口——模式0和模式3
- 16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位结构或4,194,304 x 4位结构
- 512个相等的扇区，每个扇区4K字节
- 任何扇区都可以单独擦除
- 32个相等的块，每个块64K字节
- 任何块都可以单独擦除
- 单电源操作
- 读、擦除和编程操作电压为2.7 ~ 3.6伏
- 从 -1V到Vcc +1V可承受100mA的闩锁保护
- 高性能
- 快速读取
- 1个I/O：133MHz，8个空周期
- 2个I/O：2READ指令下108MHz，4个空周期；DREAD指令下133MHz，8个空周期
- 4个I/O：133MHz，6个空周期
- 快速编程时间：每页面（每页256字节）典型值0.7ms，最大值3ms
- 字节编程时间：典型值9us
- 快速擦除时间：每个扇区（每扇区4K字节）典型值60ms；每个块（每块64K字节）典型值0.4s；每个芯片典型值6s
- 低功耗
- 高频率（133MHz）下最大读电流35mA，低频率（50MHz）下最大读电流10mA
- 最大编程电流20mA
- 最大擦除电流20mA
- 典型待机电流20uA，最大50uA
- 典型深度掉电电流3uA，最大20uA
- 典型擦除/编程循环次数为100,000次
- 数据保留时间为20年
- 输入数据格式
- 1字节命令代码
- 高级安全特性
- 块锁定保护
- BP0 - BP3状态位定义了软件保护区域的大小，防止编程和擦除指令
- 额外的4K位安全OTP用于唯一标识符
- 自动擦除和自动编程算法
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