温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MX25L25645GZ2I-10G
3V、256Mbit [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO（串行多I/O）闪存
- 描述
- 特性：支持串行外设接口。 Mode O和Mode 3。 单电源操作。 读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6V。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。 协议支持：单I/O、双I/O和四I/O
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L25645GZ2I-10G
- 商品编号
- C2802980
- 商品封装
- WSON-8-EP(6x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 0.2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 750us | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 支持串行外设接口 -- 模式 0 和模式 3
- 单电源操作 - 读、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6 伏
- 268,435,456×1 位结构或 134,217,728×2 位（双 I/O 模式）结构或 67,108,864×4 位（四 I/O 模式）结构
- 协议支持 - 单 I/O、双 I/O 和四 I/O
- 从 -1V 到 Vcc + 1V 的闩锁保护至 100mA
- 低 Vcc 写禁止范围为 1.5V 到 2.5V
- SPI 模式快速读取 - 所有协议支持高达 133MHz 的时钟频率
- 支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD 指令
- 支持 DTR（双传输速率）模式
- 快速读取操作的可配置空周期数
- 支持性能增强模式 - XIP（即地执行）
- 四外设接口（QPI）可用
- 相等的 4K 字节扇区，或每个 32K 字节或 64K 字节的相等块 - 任何块都可以单独擦除
- 编程：256 字节页缓冲区 - 四输入/输出页编程（4PP）以提高编程性能
- 典型 100,000 次擦除/编程周期
- 20 年数据保留
- 输入数据格式：1 字节命令代码
- 高级安全功能：块锁保护
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(1个/托盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/托盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐
- MX25L25645GZNI-08G
- MX25L25655FXCI-10G
- MX25L25655FXCI-10GTR
- MX25L25673GMI-08G
- MX25L25735EMI-12G
- MX25L25735FMI-10GTR
- MX25L25735FZ2I-10G
- MX25L25735FZ2I-10GTR
- MX25L3206EMI-12G
- MX25L3206EZNI-12GTR
- MX25L3206EZUI-12G
- MX25L3206EZUI-12GTR
- MX25L3233FM1I-08G
- MX25L3233FM1I-08QTR
- MX25L3233FM2I-08QTR
- MX25L3233FMI-08G
- MX25L3233FMI-08GTR
- MX25L3233FZBI-08GTR
- MX25L3233FZBI-08QTR
- MX25L3233FZBR-08QTR
- MX25L3233FZNI-08G