MX25L25645GM2I-10GTR

MX25L25645G是一款3V、256兆位（组织方式为x1/x2/x4）的CMOS MXSMIO®（串行多输入/输出）闪存。它支持串行外设接口（SPI）的模式0和模式3，采用单电源供电，工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于读取、擦除和编程操作。该器件具有268,435,456 x 1位、134,217,728 x 2位（双I/O模式）或67,108,864 x 4位（四I/O模式）的结构。它支持单I/O、双I/O和四I/O协议，包括DTR（双倍数据传输率）模式，所有协议的最高时钟频率可达133MHz。器件内置闩锁保护功能，电流耐受能力达100 mA，电压范围为-1V至Vcc+1V；低Vcc写入禁止电压为1.5V至2.5V。它支持快速读取指令（如FAST_READ、2READ、DREAD、4READ、QREAD），可配置用于快速读取操作的虚拟周期数，并支持性能增强模式——XIP（就地执行）以及四线外设接口（QPI）模式。存储器组织为均匀的4KB扇区，或由32KB或64KB块组成的均匀块，任何块均可单独擦除。编程方面，它具有256字节的页缓冲区，并支持四输入/输出页编程（4PP）以提升编程性能。典型擦除/编程循环次数为100,000次，数据保存期限为20年。软件特性包括：1字节命令码；高级安全功能，如通过BP0-BP3和T/B状态位定义受保护区域大小的块锁定保护功能；独立的扇区保护（固态保护）功能；额外的4K位安全一次性可编程存储器，具有标识符，可出厂锁定或客户锁定；命令复位功能；编程/擦除挂起与恢复操作；电子标识功能，支持JEDEC标准的1字节制造商ID和2字节器件ID、用于读取1字节器件ID的RES命令、用于读取1字节制造商ID和1字节器件ID的REMS命令；支持串行闪存可发现参数模式。硬件特性包括：串行时钟输入、用于串行数据输入或用于2x I/O和4x I/O读取模式的串行数据输入/输出引脚。

• 支持串行外设接口——模式0和模式3
• 单电源操作：读取、擦除和编程操作电压为2.7V至3.6V
• 存储结构：268,435,456 x 1位，或134,217,728 x 2位（双I/O模式），或67,108,864 x 4位（四I/O模式）
• 协议支持：单I/O、双I/O和四I/O
• 闩锁保护：在-1V至Vcc+1V范围内可承受100 mA电流
• 低Vcc写入禁止电压：1.5V至2.5V
• 快速读取：所有协议支持最高133MHz时钟频率；支持FAST_READ、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令；支持DTR模式；可配置快速读取操作的虚拟周期数
• 支持性能增强模式——XIP（就地执行）
• 提供四线外设接口
• 存储器组织：均匀的4KB扇区，或均匀的32KB/64KB块；每个块可单独擦除
• 编程：256字节页缓冲区；四输入/输出页编程以提升编程性能
• 典型擦除/编程循环：100,000次
• 数据保存期限：20年
• 软件特性：1字节命令码；高级安全功能（块锁定保护、独立扇区保护）；额外的4K位安全一次性可编程存储器（具有标识符，可出厂/客户锁定）；命令复位；编程/擦除挂起与恢复操作；电子标识（JEDEC制造商ID与器件ID、RES命令、REMS命令）；支持串行闪存可发现参数模式
• 硬件特性：串行时钟输入引脚；串行数据输入/输出引脚（支持2x I/O和4x I/O读取模式）