IRF640NPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- N沟道,200V,18A,150mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF640NPBF
- 商品编号
- C2568
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
详细信息
- 描述
IRF640N 系列是第五代 HEXFET 功率 MOSFET，由 International Rectifier 制造。该系列利用先进的处理技术实现了极低的单位硅面积导通电阻。结合快速开关速度和坚固的设计，HEXFET 功率 MOSFET 为多种应用提供了高效且可靠的解决方案。
产品特性：
- VDSS (漏源电压): 200 V
- RDS(on) (最大静态漏源导通电阻): 0.15 Ω (@VGS = 10V, ID = 11A)
- ID (连续漏极电流): 18 A
- ISM (脉冲源电流, 体二极管): 72 A
- VSD (二极管正向电压): 1.3 V (@TJ = 25°C, IS = 11A, VGS = 0V)
- trr (反向恢复时间): 167 至 251 ns (@TJ = 25°C, IF = 11A, di/dt = 100A/us)
- Qrr (反向恢复电荷): 929 至 1394 nC (@TJ = 25°C, IF = 11A, di/dt = 100A/us)
技术优势：
- 先进的工艺技术：通过优化硅材料与工艺技术显著降低了导通损耗。
- 动态 dv/dt 评级：能够承受快速变化的电压。
- 高温操作：可在高达 175°C 的温度下工作。
- 快速开关：具有非常快的开关速度。
- 完全雪崩额定值：具备良好的抗雪崩能力。
- 易于并联：可以方便地进行并联以提高电流处理能力。
- 简单的驱动要求：对驱动电路的要求较低，简化了设计。
应用领域：
- 商业和工业应用
- 高功率和高效率电源管理
- 电机控制
- 开关模式电源（SMPS）
- 逆变器和转换器
- LED 驱动器
- 任何需要高性能、低导通电阻和高可靠性的场合
原理图
用户手册
Infineon(英飞凌)_IRF640N数据手册（英文）
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