IRF3205PBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。结合快速开关速度和坚固耐用的器件设计（这是HEXFET功率MOSFET闻名之处），为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。对于所有商业 - 工业应用，在功耗水平约达50瓦时，TO - 220封装是普遍首选
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF3205PBF
- 商品编号
- C2561
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.893克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.247nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 211pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交100+单