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IAUCN04S7N019DATMA1引脚图
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IAUCN04S7N019DATMA1

N沟道 40V 160A

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商品型号
IAUCN04S7N019DATMA1
商品编号
C27389526
商品封装
TDSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)160A
导通电阻(RDS(on))1.63mΩ@10V
耗散功率(Pd)96W
阈值电压(Vgs(th))2.6V
栅极电荷量(Qg)37nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.518nF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.465nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 适用于汽车应用的 OptiMOSTM 功率 MOSFET
  • N 沟道 - 增强型 - 标准电平
  • 超出 AEC-Q101 的扩展认证
  • 增强型电气测试
  • 稳健设计
  • 最高 260°C 峰值回流温度的 MSL1 等级
  • 175°C 工作温度
  • 符合 RoHS 标准
  • 100% 雪崩测试

应用领域

-通用汽车应用。

数据手册PDF