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IPTG017N12NM6ATMA1
N沟道 120V 331A
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- 描述
- 特性：N- 沟道，正常电平。极低导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。极低反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPTG017N12NM6ATMA1
- 商品编号
- C27391716
- 商品封装
- PG-HSOG-8-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 331A | |
| 耗散功率(Pd) | 395W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.4nF |
商品特性
- N沟道,常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的反向恢复电荷(Qrr)
- 高雪崩能量额定值
- 工作温度达175°C
- 针对高频开关和同步整流进行优化
- 引脚无铅电镀;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 根据J-STD-020标准分级为MSL 1