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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPTA60R180CM8XTMA1

600V 18A

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私有库下单最高享92折
描述
8 代 CoolMOS 平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的继任者。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,如低振铃趋势,为所有产品实施了快速体二极管(CFD),具有出色的抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外,CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
商品型号
IPTA60R180CM8XTMA1
商品编号
C27391715
商品封装
LHSOF-4​
包装方式
编带
商品毛重
0.53克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))180mΩ@10V
耗散功率(Pd)119W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.2V
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)743pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)11pF

商品概述

NextPower 80 V标准电平栅极驱动MOSFET。可在175°C环境下工作,适用于工业和消费类应用。

商品特性

  • 出色的换向耐用性,适用于硬开关和软开关拓扑
  • 显著降低开关和导通损耗
  • 超低的RDS(on)*A实现了每封装产品的业界最佳RDS(on)

应用领域

  • 电源和转换器
  • 功率因数校正(PFC)级和LLC谐振转换器
  • 高效开关应用
    • 服务器、电信、电动汽车充电、不间断电源(UPS)

数据手册PDF