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SSM6K504NU.LF
1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- 特性：4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 19.5 mΩ (最大值) (VGS = 10V)。应用：高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6K504NU.LF
- 商品编号
- C2762699
- 商品封装
- UDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- 4.5 V栅极驱动电压。
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 26 mΩ(最大值)(@VGS = 4.5 V);RDS(ON) = 19.5 mΩ(最大值)(@VGS = 10 V)
应用领域
- 高速开关