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2SK3756(TE12L.F)
1个N沟道 耐压:7.5V 电流:1A
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- 描述
- 应用：VHF和UHF频段放大器应用。电信设备的高频功率放大器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK3756(TE12L.F)
- 商品编号
- C2762664
- 商品封装
- SC-62
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 7.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.45V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -45℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的 RDS(on)。
商品特性
- 输出功率:P0 = 32 dBmW(典型值)
- 增益:GP = 12 dB(典型值)
- 漏极效率:ηD = 60%(典型值)
应用领域
- VHF和UHF频段放大器
- 通信设备的高频功率放大器