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2SK2615(TE12L.F)
1个N沟道 耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.23Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 2.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 60V)。 增强模式：Vth = 0.8 至 2.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：DC-DC转换器。 继电器驱动
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK2615(TE12L.F)
- 商品编号
- C2762693
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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