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SSM3K361R.LF
1个N沟道 耐压:100V 电流:3.5A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 175°C MOSFET。 4.5V驱动。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65 mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51 mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K361R.LF
- 商品编号
- C2762698
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 92mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@0.1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
WsF4042是高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WsF4042符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%保证具有抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）背光源逆变器
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