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SSM3K336R.LF
1个N沟道 耐压:30V 电流:3A
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- 描述
- 特性：4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 95 mΩ（最大值）（VGS = 10 V），RDS(ON) = 140 mΩ（最大值）（VGS = 4.5 V）。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K336R.LF
- 商品编号
- C2762679
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@0.1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 126pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26pF |
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 设计无铅/符合RoHS标准
- 静电放电（ESD）防护高达2KV
- “绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准