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IAUCN04S6N007TATMA1
N沟道 40V 390A
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- 描述
- 特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 标准电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。应用：一般汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN04S6N007TATMA1
- 商品编号
- C26316476
- 商品封装
- PG-LHDSO-10-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 390A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.68mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.1nF |