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IXFK120N65X2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFK120N65X2

650V N沟道增强型功率MOSFET

品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXFK120N65X2
商品编号
C26319910
商品封装
TO-264AA​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.25kW
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)240nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)14nF
反向传输电容(Crss)5.5pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)8.7nF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET F7技术,其沟槽栅极结构经过优化,可实现极低的导通电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关操作。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低 Qc
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF