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IXFK120N65X2
650V N沟道增强型功率MOSFET
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFK120N65X2
- 商品编号
- C26319910
- 商品封装
- TO-264AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 国际标准封装
- 低 Qc
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流-直流转换器
- 功率因数校正(PFC)电路
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制