立创商城logo
购物车0
IXTT48P20P实物图
  • IXTT48P20P商品缩略图
  • IXTT48P20P商品缩略图
  • IXTT48P20P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTT48P20P

P沟道增强型功率MOSFET

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
特性:国际标准封装。坚固的PolarPTM工艺。雪崩额定。低封装电感。快速本征二极管。易于安装。应用:高端开关。推挽放大器
品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXTT48P20P
商品编号
C26319949
商品封装
TO-268​
包装方式
袋装
商品毛重
4.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)48A
导通电阻(RDS(on))85mΩ@10V
耗散功率(Pd)462W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)103nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)5.4nF
反向传输电容(Crss)170pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)1.04nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

-国际标准封装-耐用的PolarPTM工艺-雪崩额定-低封装电感-快速本征二极管-易于安装-节省空间-高功率密度

应用领域

-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-自动测试设备-电流调节器

数据手册PDF