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IPD60R180CM8XTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD60R180CM8XTMA1

N沟道 600V 18A

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私有库下单最高享92折
描述
CoolMOs TM 8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOs TM CM8 系列是 CoolMOs TM 7 的继任者,它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,如低振铃趋势,为所有产品实施了快速体二极管 (CFD),具有出色的抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外,CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
商品型号
IPD60R180CM8XTMA1
商品编号
C26319077
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
0.531818克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))180mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)127W
阈值电压(Vgs(th))4.7V
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 凭借出色的换向鲁棒性,适用于硬开关和软开关拓扑
  • 显著降低开关和传导损耗
  • 超低RDS(on)*A实现了每封装产品的一流RDS(on)

应用领域

  • 电源和转换器
  • PFC级和LLC谐振转换器
  • 高效开关应用
    • 服务器
    • 电信
    • 电动汽车充电
    • 不间断电源

数据手册PDF