商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电池管理 | |
| 芯片类型 | - | |
| 充电饱和电压 | 4.425V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 放电截止电压 | 2.4V | |
| 电池类型 | - | |
| 电池节数 | 1 |
商品概述
CM1102B系列内置有高精度电压检测电路和延迟电路,通过检测电池的电压、电流,实现对电池的过充电、过放电、过电流等保护。适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池的保护电路。
商品特性
- 高精度电压检测功能
- 过充电检测电压3.5 V ~ 4.7 V,精度±25 mV
- 过充电迟滞电压0.100V,0.200V,精度±50 mV
- 过放电检测电压2.0 V ~ 3.2 V,精度±80 mV
- 过放电迟滞电压0 ~ 0.600V,精度±100 mV
- 放电过电流检测功能
- 过电流检测电压0.025V ~ 0.300V,精度±15 mV
- 短路检测电压0.25V,0.35V,0.50V,1.0V,精度20%
- 充电过流检测电压 -0.050V ~ -0.180V,精度±30 mV
- 负载检测功能
- 充电器检测功能
- 可选择向0V电池充电功能:允许,禁止
- 休眠功能:有,无
- 可选择放电过流状态的解除条件:断开负载
- 可选择放电过流状态的解除电压:VDIOV,VRIOV
- 低电流消耗工作模式:2.0 μA (典型值) (Ta = +25°C)
- 休眠时(有休眠功能):0.1 μA (典型值) (Ta = +25°C)
- 过放电时:0.7 μA (典型值) (Ta = +25°C)
- RoHS、无铅、无卤素
- 内置低导通内阻N-MOSFET
- VDS = 15V
- ESD Rating:2000V HBM
应用领域
- 手机电池
- 可穿戴设备
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