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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CM1102B-FD

二合一保护IC

品牌名称
iCM(创芯微)
商品型号
CM1102B-FD
商品编号
C2685428
商品封装
DFN-6L-EP(2.2x2.9)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录电池管理
芯片类型-
充电饱和电压4.425V
属性参数值
放电截止电压2.4V
电池类型-
电池节数1

商品概述

CM1102B系列内置有高精度电压检测电路和延迟电路,通过检测电池的电压、电流,实现对电池的过充电、过放电、过电流等保护。适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池的保护电路。

商品特性

  • 高精度电压检测功能
    • 过充电检测电压3.5 V ~ 4.7 V,精度±25 mV
    • 过充电迟滞电压0.100V,0.200V,精度±50 mV
    • 过放电检测电压2.0 V ~ 3.2 V,精度±80 mV
    • 过放电迟滞电压0 ~ 0.600V,精度±100 mV
  • 放电过电流检测功能
    • 过电流检测电压0.025V ~ 0.300V,精度±15 mV
    • 短路检测电压0.25V,0.35V,0.50V,1.0V,精度20%
  • 充电过流检测电压 -0.050V ~ -0.180V,精度±30 mV
  • 负载检测功能
  • 充电器检测功能
  • 可选择向0V电池充电功能:允许,禁止
  • 休眠功能:有,无
  • 可选择放电过流状态的解除条件:断开负载
  • 可选择放电过流状态的解除电压:VDIOV,VRIOV
  • 低电流消耗工作模式:2.0 μA (典型值) (Ta = +25°C)
  • 休眠时(有休眠功能):0.1 μA (典型值) (Ta = +25°C)
  • 过放电时:0.7 μA (典型值) (Ta = +25°C)
  • RoHS、无铅、无卤素
  • 内置低导通内阻N-MOSFET
    • VDS = 15V
    • ESD Rating:2000V HBM

应用领域

  • 手机电池
  • 可穿戴设备

数据手册PDF

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