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3482
N沟道增强型功率MOSFET,电流:50A,耐压:40V
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- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- 3482
- 商品编号
- C2681878
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.082克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@4.5V,50A | |
| 功率 | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 29nC@20V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.8nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AO3423A采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V, ID = 50 A
- RDS(ON) < 10 m Ω(在 VGS = 10 V 时)
- RDS(ON) < 15 m Ω(在 VGS = 4.5 V 时)
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
-负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源