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4606
N沟道和P沟道增强型MOSFET,电流:6.9A,耐压:30V
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- 描述
- 4606采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，还适用于许多其他应用。
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- 4606
- 商品编号
- C2681888
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A；6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V；42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA；1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V；20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 398pF；930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF；102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 121pF；67pF |
商品概述
STN4488L是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。它适用于便携式或电池供电系统中的电源管理应用。
商品特性
- 30V / 20A，RDS(ON) = 3.8 mΩ（典型值）
- 30V / 18A，RDS(ON) = 5.2 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力