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4410
N沟道增强型功率MOSFET,电流:10A,耐压:30V
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- 描述
- 4410采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，还适用于许多其他应用。
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- 4410
- 商品编号
- C2681891
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V；16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V；6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 20A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 35 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 40 mΩ
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源