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4622
N沟道和P沟道,电流:6.4A,耐压:20V
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- 描述
- 4622采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，以及众多其他应用。
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- 4622
- 商品编号
- C2681887
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V；30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V@250uA；900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V；15.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF；800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF；103pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF；162pF |
商品概述
4606采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于许多其他应用。
商品特性
- N沟道：
- VDS = 30V，ID = 6.9A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 21mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 32mΩ
- P沟道：
- VDS = -30V，ID = -6.0A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 45mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装