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9435
P沟道增强模式功率MOSFET,电流:-5.3A,耐压:-30V
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- 9435
- 商品编号
- C2681879
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@10V；75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 845pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
4409采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。
商品特性
- VDS = -30V
- R D S (ON) < 85 mΩ(V G S = - 4.5 V,I D = - 4.2 A)
- R D S (ON) < 57 mΩ(V G S = - 10 V,I D = - 5.3 A)
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- 负载开关
- 电源管理