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20N06
N沟道,电流:20A,耐压:60V
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现超低Rdson。 完全表征雪崩电压和电流。 具有高EAS，稳定性和均匀性良好。 出色的封装，实现良好的散热。 特殊工艺技术，具备高ESD能力
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- 20N06
- 商品编号
- C2681867
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 973.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61.2pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 20A
- 栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 35 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 40 mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源