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20N06实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

20N06

N沟道,电流:20A,耐压:60V

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描述
特性:高密度单元设计,实现超低Rdson。 完全表征雪崩电压和电流。 具有高EAS,稳定性和均匀性良好。 出色的封装,实现良好的散热。 特殊工艺技术,具备高ESD能力
品牌名称
TF(拓锋)
商品型号
20N06
商品编号
C2681867
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.376克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)973.2pF
反向传输电容(Crss)58.8pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)61.2pF

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