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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 63pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
应用领域
- 便携式设备负载开关
- 直流-直流转换器