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H5N5001FM-VB
N沟道 耐压:650V 电流:7A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，提供稳定可靠的电气特性。TO220F；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- H5N5001FM-VB
- 商品编号
- C2680848
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.374克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
1H10将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于功率开关应用和LED背光。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V；漏极电流（ID） = 10 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏源电流（IDS） = 3 A时，RDS(ON) 典型值为95 mΩ
- VGS = 4.5 V、IDS = 2 A时，RDS(ON) 典型值为110 mΩ
- 超低导通电阻
- 高非箝位电感开关（UIS）性能且UIS 100%测试
应用领域
- 功率开关应用
- LED背光