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SIHFR120T-VB
N沟道,电流:15A,耐压:100V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应管，适用于多种应用场景，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、家用电器控制、工业自动化控制等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；15A；RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIHFR120T-VB
- 商品编号
- C2680859
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 114mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 低品质因数（FOM）Ron × Qg
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
- 符合RoHS标准
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域