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STK5006P-VB
N沟道,电流:50A,耐压:60V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，具有适中的电压容限和漏极电流，适用于中功率应用场景。TO220；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STK5006P-VB
- 商品编号
- C2680861
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.684克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 针对“低端”同步整流器操作进行优化
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 提供符合 RoHS 标准的无卤产品
应用领域
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）逆变器