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STP5N60-VB
N沟道 耐压:600V 电流:8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Plannar技术，适用于低频电源转换器、电机驱动器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,600V；8A；RDS(ON)=780mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP5N60-VB
- 商品编号
- C2680865
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
-沟槽功率中压MOSFET技术-电压控制小信号开关-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏
商品特性
- 漏源电压 (VDS) 60V
- 漏极电流 (ID) 340mA
- 栅源电压 (VGS) = 10V 时的漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 2.5 欧姆
- 栅源电压 (VGS) = 4.5V 时的漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 3.0 欧姆
- 静电放电防护高达 2.5KV（人体模型）
应用领域
-电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS