温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7866DP-T1-GE3-VB
耐压:30V 电流:33A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7866DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C2680858
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.174克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V,32A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.9nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 83pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准