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SI4421DY-T1-VB
P沟道MOSFET,电流:13.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4421DY-T1-VB
- 商品编号
- C2680775
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.674克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,13.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29.5nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.55nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
~~- 无卤-沟槽功率MOSFET
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