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RRH100P03-VB
P沟道,电流:11.6A,耐压:30V
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RRH100P03-VB
- 商品编号
- C2680770
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.96nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 100%非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关-笔记本电源适配器开关
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