L9907TR

54V电机驱动芯片

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商品参数

	属性	参数值
	商品目录	有刷直流电机驱动芯片

	属性	参数值
	功能特性	交错导通保护；电流采样/调节功能

L9907是采用先进BCD-6s技术的智能功率器件，能够驱动三相BLDC电机应用的所有功率MOS晶体管。该电路适用于高电源电压环境（如双电池），电源相关引脚可承受高达90V。此外，该器件能够独立控制六个预驱动通道，从而可实现各种电机控制策略，集成升压调节器。

AEC-Q100合格
电源电压范围为4.2V至54V，适用于单12V系统、双24V系统和48V电池应用
FET高端驱动引脚可承受-7V至90V
低待机电流消耗
由Vcc引脚供电的3.3V内部稳压器
升压调节器（全Rdson低至6V，具备过压保护）
3个低侧驱动+3个高侧驱动
PWM操作频率高达20kHz
栅极驱动电流可通过SPI分4步调节，范围由外部电阻设置，最大栅极控制电流为600mA
每个MOSFET的源极连接
每个栅极驱动的输入引脚
2个差分电流检测放大器：输出偏移可通过SPI选择（0.2Vcc偏移用于接地分流电阻连接，0.5Vcc偏移用于相位分流电阻连接），所有放大器增益因子可编程（10、30、50、100）
8MHz 16位SPI
全诊断功能：可编程参数包括交叉导通死区时间（有固定最小值）、4个电流步驱动功率MOS栅极（25%、50%、75%、100%）、电流检测放大器的相位或接地选择、电流检测放大器的增益值、电流检测放大器的零电流输出电压（偏移）、单或双电池操作的过压阈值选择、低侧和高侧MOSFET的短路检测阈值（漏源电压监控）
保护和诊断功能：FET驱动方面有FET驱动电源欠压诊断、栅源输出电压限制、栅源被动关断；电源引脚VB和VCC方面有过压、欠压诊断和保护，所有逻辑引脚可承受35V，功率MOSFET漏源电压降测量用于过流保护，过温诊断和关机，故障状态标志输出