TS12A4517DR
TS12A4517DR
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- 描述
- 单刀单掷(SPST)、低压、双电源CMOS模拟开关,具有极低的开关导通电阻。可在±1V至±6V双电源下连续工作,能处理轨到轨模拟信号。关断泄漏电流最大值在25°C时仅为5nA,85°C时为10nA。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TS12A4517DR
- 商品编号
- C2673238
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 1:1 | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作电压 | -6V~-1V;1V~6V | |
| 导通时间(ton) | 85ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 25Ω | |
| 关闭时间(toff) | 50ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 带宽 | 464MHz |
商品概述
TS12A4516/TS12A4517 是单刀单掷 (SPST)、低压、双电源 CMOS 模拟开关,具有极低的开关导通电阻。TS12A4516 为常开 (NO) 型,TS12A4517 为常闭 (NC) 型。 这些 CMOS 开关可在 ±1 V 至 ±6 V 的双电源下连续工作 [ (2 V <(V+ - V-) < 12 V]。每个开关都能处理轨到轨模拟信号。关断泄漏电流最大值在 25℃ 时仅为 5 nA,在 85℃ 时为 10 nA。
商品特性
- ±1 V 至 ±6 V 双电源工作
- 规定的导通电阻:±5 V 电源时最大 25 Ω
- ±3.3 V 电源时最大 35 Ω
- ±1.8 V 电源时最大 47 Ω
- 规定的低关断泄漏电流:25℃ 时为 5 nA,85℃ 时为 10 nA
- 规定的低导通泄漏电流:25℃ 时为 5 nA,85℃ 时为 10 nA
- 低电荷注入:13 pC(±5 V 电源)
- 快速开关速度:tON = 85 ns,tOFF = 50 ns(±5 V 电源)
- 先断后通操作 (tON > tOFF)
- 闩锁性能超过 JESD 78 标准 II 类的 100 mA
- 静电放电 (ESD) 性能按照 JESD 22 标准测试:人体模型 (A114-F) 2500 V,带电器件模型 (C101-C) 1000 V,机器模型 (A115-A) 250 V
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