BGU8M1X
BGU8M1X
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- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- BGU8M1X
- 商品编号
- C2654208
- 商品封装
- XSON-6(0.7x1.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 1.805GHz~2.2GHz | |
| 增益 | 13.5dB | |
| 噪声系数 | 0.8dB | |
| 工作电压 | 1.5V~3.1V | |
| 工作电流 | 5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | -2dBm | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输入回波损耗 | 9dB | |
| 输出回波损耗 | 20dB | |
| IP3 | 6dBm | |
| 功能特性 | 静电保护;偏置控制电路;低功耗模式 |
商品概述
BGU8M1也称为LTE1001M,是一款用于LTE接收应用的低噪声放大器(LNA),采用小型塑料6引脚超薄无铅封装,仅需要一个外部匹配电感。BGU8M1可适应现代蜂窝手机中不同无线电系统共存带来的变化环境,专为低功耗和优化性能设计。在低干扰功率电平下,可提供13 dB增益,噪声系数为0.8 dB;在高功率电平下,器件会临时增加偏置电流以提高灵敏度。BGU8M1针对1805 MHz至2200 MHz频段进行了优化。
商品特性
- 工作频率范围为1805 MHz至2200 MHz
- 噪声系数为0.8 dB
- 增益为13 dB
- 高输入1 dB压缩点为-2 dBm
- 带内IP3i为6 dBm
- 电源电压范围1.5 V至3.1 V
- 自屏蔽封装设计
- 集成电源去耦电容
- 5 mA电源电流下实现优化性能
- 掉电模式电流消耗小于1 μA
- 集成温度稳定偏置电路,便于设计
- 仅需要一个输入匹配电感
- 输出直流去耦
- 所有引脚均具备ESD保护(HBM > 2 kV)
- 集成输出匹配电路
- 采用尺寸为1.1 mm × 0.7 mm × 0.37 mm、间距0.4 mm的6引脚无铅封装SOT1232
- 采用180 GHz过渡频率SiGe:C技术
- 湿敏等级为1级
应用领域
- 智能手机LTE接收LNA
- 功能手机
- 平板电脑
- 射频前端模块


