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BGU8M1X引脚图
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BGU8M1X

BGU8M1X

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品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
BGU8M1X
商品编号
C2654208
商品封装
XSON-6(0.7x1.1)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录RF放大器
频率1.805GHz~2.2GHz
增益13.5dB
噪声系数0.8dB
工作电压1.5V~3.1V
工作电流5mA
属性参数值
P1dB-2dBm
工作温度-40℃~+85℃
输入回波损耗9dB
输出回波损耗20dB
IP36dBm
功能特性静电保护;偏置控制电路;低功耗模式

商品概述

BGU8M1也称为LTE1001M,是一款用于LTE接收应用的低噪声放大器(LNA),采用小型塑料6引脚超薄无铅封装,仅需要一个外部匹配电感。BGU8M1可适应现代蜂窝手机中不同无线电系统共存带来的变化环境,专为低功耗和优化性能设计。在低干扰功率电平下,可提供13 dB增益,噪声系数为0.8 dB;在高功率电平下,器件会临时增加偏置电流以提高灵敏度。BGU8M1针对1805 MHz至2200 MHz频段进行了优化。

商品特性

  • 工作频率范围为1805 MHz至2200 MHz
  • 噪声系数为0.8 dB
  • 增益为13 dB
  • 高输入1 dB压缩点为-2 dBm
  • 带内IP3i为6 dBm
  • 电源电压范围1.5 V至3.1 V
  • 自屏蔽封装设计
  • 集成电源去耦电容
  • 5 mA电源电流下实现优化性能
  • 掉电模式电流消耗小于1 μA
  • 集成温度稳定偏置电路,便于设计
  • 仅需要一个输入匹配电感
  • 输出直流去耦
  • 所有引脚均具备ESD保护(HBM > 2 kV)
  • 集成输出匹配电路
  • 采用尺寸为1.1 mm × 0.7 mm × 0.37 mm、间距0.4 mm的6引脚无铅封装SOT1232
  • 采用180 GHz过渡频率SiGe:C技术
  • 湿敏等级为1级

应用领域

  • 智能手机LTE接收LNA
  • 功能手机
  • 平板电脑
  • 射频前端模块