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LMG1205YFXT

集成自举二极管的80V、1.2A至5A半桥氮化镓驱动器

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描述: LMG1205 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG1205YFXT
商品编号: C2653820
商品封装: DSBGA-12(1.7x1.9)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	3.5ns
	传播延迟 tpLH	35ns
	传播延迟 tpHL	33.5ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.89V~2.18V
	输入低电平(VIL)	1.48V~1.76V
	静态电流(Iq)	90uA

商品概述

LMG1205旨在驱动同步降压、升压或半桥配置中的高端和低端增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件集成了一个100 V自举二极管，并且高端和低端输出具有独立输入，以实现最大的控制灵活性。高端偏置电压采用自举技术生成，并在内部钳位至5 V，可防止栅极电压超过增强型GaN FET的最大栅源电压额定值。LMG1205的输入与TTL逻辑兼容，无论VDD电压如何，都能承受高达14 V的输入电压。LMG1205具有分离式栅极输出，可灵活独立调节导通和关断强度。此外，LMG1205强大的灌电流能力可使栅极保持低电平状态，防止在开关过程中意外导通。LMG1205的工作频率可达数MHz。LMG1205采用12引脚DSBGA封装，占用空间小，封装电感低。

商品特性

独立的高端和低端TTL逻辑输入
1.2 A峰值源电流，5 A灌电流
高端浮动偏置电压轨可在高达100 VDC下工作
内部自举电源电压钳位
分离式输出，可调节导通和关断强度
0.6 Ω下拉电阻，2.1 Ω上拉电阻
快速传播时间（典型值35 ns）
出色的传播延迟匹配（典型值1.5 ns）
电源轨欠压锁定
低功耗

应用领域

电流馈电推挽式转换器
半桥和全桥转换器
同步降压转换器
双开关正激式转换器
带有源钳位的正激式转换器

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(250个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个250个/圆盘

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	5A
	拉电流(IOH)	1.2A
	工作电压	4.5V~5.5V
	上升时间(tr)	7ns