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LM5107SD/NOPB

100V、1.4A 峰值半桥栅极驱动器

描述: LM5107 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM5107SD/NOPB
商品编号: C2653795
商品封装: WSON-8-EP(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.085克(g)

商品参数

商品概述

LM5107是一款低成本高压栅极驱动器，旨在驱动同步降压或半桥配置中的高端和低端N沟道MOSFET。浮动高端驱动器能够在高达100V的轨电压下工作。输出通过与TTL兼容的输入阈值进行独立控制。芯片上集成了高压二极管，用于为高端栅极驱动自举电容充电。强大的电平转换器技术可高速运行，同时功耗低，并能将控制输入逻辑信号干净地转换为高端栅极驱动器的电平。低端和高端电源轨均设有欠压锁定功能。该器件提供SOIC和散热增强型WSON封装。

商品特性

可驱动高端和低端N沟道MOSFET
高峰值输出电流（灌电流1.4A / 拉电流1.3A）
独立的TTL兼容输入
集成自举二极管
自举电源电压高达118V DC
快速传播时间（典型值27ns）
驱动1000pF负载时，上升和下降时间为15ns
出色的传播延迟匹配（典型值2ns）
电源轨欠压锁定
低功耗
引脚与ISL6700兼容
封装：SOIC、WSON（4mm x 4mm）

应用领域

电流馈电推挽式转换器
半桥和全桥功率转换器
固态电机驱动器
双开关正激式功率转换器

交货周期

订货3-5个工作日

购买数量

(1个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个1个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1.4A
	拉电流(IOH)	1.3A
	工作电压	8V~14V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	15ns
	下降时间(tf)	15ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.8V~2.2V
	输入低电平(VIL)	800mV~1.8V
	静态电流(Iq)	300uA