ZXGD3112N7TC
400V有源或门MOSFET控制器
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- 描述
- ZXGD3112N7是一款400V有源或门MOSFET控制器,旨在驱动极低导通电阻RDS(ON)的功率MOSFET,使其作为理想二极管工作。这可替代标准整流器,以降低正向压降并全面提高功率传输效率。ZXGD3112N7可用于最高±400V轨压的高端和低端电源装置(PSU)
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXGD3112N7TC
- 商品编号
- C2653683
- 商品封装
- SOIC-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 理想二极管 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | - | |
| 工作电压 | 4V~25V | |
| 导通电阻 | - | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
ZXGD3112N7 是一款400V主动ORing MOSFET控制器,设计用于驱动一个非常低RDS(ON)的功率MOSFET作为理想二极管。这可以替代标准整流器以减少正向电压降,并整体提高功率传输效率。
ZXGD3112N7 可用于高压侧和低压侧电源单元(PSU),轨电压可达±400V。它使非常低RDS(ON)的MOSFET能够作为理想二极管工作,因为关断阈值仅为-3mV,容差为±2mV。在典型的48V配置中,待机功耗<50mW,因为低静态供电电流<1mA。在电源故障条件下,ORing控制器检测到功率下降并在<600μs内迅速关闭MOSFET,以阻止反向电流流动并避免公共母线电压下降。
商品特性
- 适用于高压侧或低压侧电源的主动ORing MOSFET控制器
- 理想二极管以减少正向电压降
- 典型关断阈值为-3mV,容差为±2mV
- 漏极电压额定值为400V
- VCC额定值为25V
- 待机功率<50mW,静态供电电流<1mA
- 关断时间<600μs,以最小化反向电流
- 完全无铅且完全符合RoHS标准,无卤素和无锑。“绿色”器件
应用领域
- 活跃ORing控制器应用于:
- (N+) 冗余电源
- 电信和网络
- 数据中心和服务器
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