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ZXGD3112N7TC实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXGD3112N7TC

400V有源或门MOSFET控制器

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描述
ZXGD3112N7是一款400V有源或门MOSFET控制器,旨在驱动极低导通电阻RDS(ON)的功率MOSFET,使其作为理想二极管工作。这可替代标准整流器,以降低正向压降并全面提高功率传输效率。ZXGD3112N7可用于最高±400V轨压的高端和低端电源装置(PSU)
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXGD3112N7TC
商品编号
C2653683
商品封装
SOIC-7​
包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录功率电子开关
类型理想二极管
通道数1
输入控制逻辑高电平有效
属性参数值
最大连续电流-
工作电压4V~25V
导通电阻-
工作温度-50℃~+150℃

商品概述

ZXGD3112N7 是一款400V主动ORing MOSFET控制器,设计用于驱动一个非常低RDS(ON)的功率MOSFET作为理想二极管。这可以替代标准整流器以减少正向电压降,并整体提高功率传输效率。

ZXGD3112N7 可用于高压侧和低压侧电源单元(PSU),轨电压可达±400V。它使非常低RDS(ON)的MOSFET能够作为理想二极管工作,因为关断阈值仅为-3mV,容差为±2mV。在典型的48V配置中,待机功耗<50mW,因为低静态供电电流<1mA。在电源故障条件下,ORing控制器检测到功率下降并在<600μs内迅速关闭MOSFET,以阻止反向电流流动并避免公共母线电压下降。

商品特性

  • 适用于高压侧或低压侧电源的主动ORing MOSFET控制器
  • 理想二极管以减少正向电压降
  • 典型关断阈值为-3mV,容差为±2mV
  • 漏极电压额定值为400V
  • VCC额定值为25V
  • 待机功率<50mW,静态供电电流<1mA
  • 关断时间<600μs,以最小化反向电流
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准,无卤素和无锑。“绿色”器件

应用领域

  • 活跃ORing控制器应用于:
  • (N+) 冗余电源
  • 电信和网络
  • 数据中心和服务器

数据手册PDF