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LM74670QDGKTQ1
零IQ智能二极管整流器控制器
- 描述
- LM74670-Q1 具有 70uA 栅极驱动器的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管整流器控制器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM74670QDGKTQ1
- 商品编号
- C2653685
- 商品封装
- VSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 理想二极管/ORing控制器 | |
| 输入电压(Vin) | 4V~42V | |
| 反向耐压 | 42V | |
| FET类型 | 外置FET | |
| 通道数 | 1 | |
| 栅极驱动电压 | 6.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 正向压降(Vf) | 480mV | |
| 静态电流(Iq) | 0uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 拉电流(IOH) | 67uA | |
| 灌电流(IOL) | 160mA |
商品概述
LM74670-Q1 是一种控制器器件，可在交流发电机的全桥或半桥整流器架构中与N通道MOSFET搭配使用。它旨在驱动外部MOSFET以模拟理想二极管。此方案独一无二的优势在于其并无接地基准，因此其具有零IQ。采用全桥或半桥整流器和交流发电机的肖特基二极管可以替换为LM74670-Q1解决方案，以避免正向导电二极管损耗并使交流/直流转换器更加高效。 LM74670-Q1控制器为外部N通道MOSFET提供栅极驱动，并配有快速响应内部比较器，可使MOSFET栅极在反极性情况下放电。此器件支持频率高达300Hz的交流信号。
商品特性
- 符合AEC-Q100标准
- 器件温度1级： -40°C至 +125°C的环境工作温度范围
- 超出人体模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级2
- 器件充电器件模型(CDM) ESD分类等级C4B
- 峰值输入交流电压：42V
- 零IQ
- 与肖特基二极管相比，正向压降和功耗更低
- 能够处理频率高达300Hz的交流信号
应用领域
- 交流整流器
- 交流发电机
- 电动工具
- 反极性保护
- 智能二极管配置
- 智能二极管全桥整流器应用