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SVF2N60MJ
停产 1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
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- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVF2N60MJ
- 商品编号
- C26398
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.707克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.67nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SVF2N60M/F/T/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用Silicon公司专有的F-cellTM结构DMOS技术制造。改进后的平面条形单元和改进后的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- 2A、600V,VGS = 10 V时,RDS(on)(典型值)= 3.7 Ω
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改进的dv/dt能力
应用领域
- AC-DC电源
- DC-DC转换器
- H桥PWM电机驱动器