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SI7898DP-T1-GE3

1个N沟道耐压:150V 电流:4.8A

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描述: N沟道,150V,4.8A,85mΩ@10V
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI7898DP-T1-GE3
商品编号: C26291
商品封装: PowerPAKSO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.131克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：21nC @ 10V
功率 - 最大值：1.9W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	150V
	连续漏极电流(Id)	4.8A
	导通电阻(RDS(on))	95mΩ@6V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	5W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	21nC@10V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)
	类型	N沟道