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SI7898DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:4.8A
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- 描述
- N沟道,150V,4.8A,85mΩ@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7898DP-T1-GE3
- 商品编号
- C26291
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 用于快速开关的 TrenchFET 功率 MOSFET
- 采用新型低热阻 PowerPAK 封装,封装高度仅为 1.07 mm
- 针对 PWM 优化
- 100% 进行 Rg 测试
应用领域
-DC/DC 电源初级侧开关-工业电机驱动
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